特許

J-GLOBAL ID：200903080448875945

シリコン系酸化物および半導体装置の層間絶縁膜

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-200680
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050995
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 シリコン系酸化物からなる無機膜では比誘電率が3.0〜3.5程度であり、その膜を半導体装置の層間絶縁膜に用いた場合には、配線間容量を十分に低減することができない。【解決手段】 シリコン酸化物にホウ素をドーピングしてなるシリコン系酸化物にフッ素原子が含まれているものである。またはシリコン酸化物にホウ素をドーピングしてなるシリコン系酸化物にフッ素原子とリン原子とが含まれているものである。そしてシリコン系酸化物中にホウ素原子は少なくとも含まれ、かつそのホウ素原子の濃度は10重量%以下であり、リン原子が含まれる場合には、その濃度は1重量%以上5重量%以下である。また上記シリコン系酸化物で半導体装置の層間絶縁膜21が形成される。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化物にホウ素がドーピングされているシリコン系酸化物において、前記シリコン系酸化物はフッ素原子を含むことを特徴とするシリコン系酸化物。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/95