半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353883
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202136
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】基板電位をリークさせる回路を用いて、短時間で基板電位を所定電位に上昇させるとき、基準電位の電源電圧追従性を高速化し得る半導体装置を提供する。【構成】基板電位発生回路、基板電位検知回路及び基板電位リーク回路等によって実現される基板電位制御機能を持つ半導体集積回路において、基板電位リーク回路が動作するときに、基準電位の電荷を所定のレベルまでリークさせる基準電位検知回路及び基準電位リーク回路を具備する。【効果】電源電圧変動に対する基準電位の追従性を高速化することができ、基板電位制限回路が電源変動に対して基準電位制限回路よりも短時間で応答することに伴う、基準電圧を使用する回路の誤動作を減少することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にバイアスを与える基板電位を発生する基板電位発生回路と、前記半導体基板と接地電位との間に接続され、第1の指令信号に応答して導通する基板電位リーク回路と、前記基板電位が一定範囲に維持されるように前記基板電位発生回路の動作を制御すると共に、前記基板電位が前記範囲を越えてより深いバイアスを与えるように推移したときに前記第1の指令信号を発生する基板電位検知回路を有する半導体装置であって、前記半導体基板内において、基準電位を発生する基準電位発生回路と、前記基準電位を受けて、前記半導体基板内に形成される内部回路に前記基準電位を供給する基準電位供給回路と、前記基準電位供給回路の出力と前記接地電位との間に接続され、第2の指令信号に応答して導通する基準電位リーク回路と、前記基準電位供給回路の出力が前記基準電位を越えると、前記第2の指令信号を発生する基準電位検知回路と、を備え、前記基準電位検知回路は、更に前記第1の指令信号にも対応して前記第2の指令信号を発生することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/06 , G11C 11/41 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03K 19/094

FI (4件)：

H01L 27/06 331 , G11C 11/34 345 , H01L 27/04 G , H03K 19/094 D

前のページに戻る