特許

J-GLOBAL ID：200903080450586136

パターン形成方法およびハイブリッド露光方法

発明者： 佐藤 康彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100700
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 電子ビームの解像性と光の生産性を兼ね備えたパターン形成を可能とするパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 被加工膜上に下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、紫外光を用いてレジスト膜に所定パターンを露光する工程と、前記レジスト膜に現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、電子ビームを用いて前記下層膜に所定パターンを露光する工程と、前記レジストパターン及び前記下層膜の前記電子ビームで露光した所定パターン領域をエッチングマスクとして用いて、前記下層膜をドライエッチングする工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被加工膜上に下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、紫外光を用いてレジスト膜に所定パターンを露光する工程と、前記レジスト膜に現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、電子ビームを用いて前記下層膜に所定パターンを露光する工程と、前記レジストパターン及び前記下層膜の前記電子ビームで露光した所定パターン領域をエッチングマスクとして用いて、前記下層膜をドライエッチングする工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 504

FI (5件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 W

Fターム (41件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE01 ,  2H025BF30 ,  2H025CB17 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  2H025DA12 ,  2H025DA13 ,  2H025DA14 ,  2H025DA34 ,  2H025FA06 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H097AA13 ,  2H097CA12 ,  2H097CA16 ,  2H097FA02 ,  2H097FA03 ,  2H097LA10 ,  5F046AA02 ,  5F046AA09 ,  5F046AA17 ,  5F046AA20 ,  5F046CA04 ,  5F046JA22 ,  5F046PA07 ,  5F056AA31 ,  5F056DA02 ,  5F056DA04 ,  5F056DA07 ,  5F056DA22 ,  5F056DA30