特許
J-GLOBAL ID：200903080453953288
シリコン汚泥を利用した陶磁器の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181467
公開番号（公開出願番号）：特開平6-009261
出願日： 1992年05月30日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：
【要約】【目的】半導体のシリコン基板製造上の切断、研磨等により生じる泥状シリコンを有効に利用すること【構成】通常の陶磁器原料に、シリコン基板製造上の切断、研磨等により生じる泥状シリコンを配合し、成形、焼成して陶磁器を製造する
請求項（抜粋）：
陶石を粉砕調合した坏土及び種種の原料を配合し成形を行う陶磁器の製造方法において、半導体のシリコン基板の切断あるいは、研磨等により排出される泥状の純シリコンを配合し、成形、焼成することを特徴とするシリコン汚泥を利用した陶磁器の製造方法。
IPC (3件)：
C04B 33/16
, C02F 11/00
, C04B 35/00
