特許
J-GLOBAL ID:200903080454161067
半導体基板上に形成された誘電体層を研磨する装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-129416
公開番号(公開出願番号):特開平5-146969
出願日: 1992年04月23日
公開日(公表日): 1993年06月15日
要約:
【要約】【目的】 半導体基板上に形成されている誘電体層をより早く研磨する装置を得ることである。【構成】 パッドの上面にはほぼ円周方向の溝が複数本形成される。それらの溝は、パッドの面積を増大し、単位面積当りより多くの研磨スラリを基板へ付着させる点接触を生じさせることにより、研磨作業を容易にするような寸法にされる。
請求項(抜粋):
パッドで覆われた回転台と、前記パッドの表面を研磨スラリで被覆する手段と、半導体基板を前記スラリとともに回転するパッド表面に誘電体層を平らにするために前記基板を前記表面へ押しつける手段とを有し、前記パッドの表面には、パッド/基板の境界面に点接触を生じさせることにより前記研磨作業を容易にする複数の溝が形成されていることを特徴とする半導体基板上に形成された誘電体層を研磨する装置。
IPC (4件):
B24B 37/04
, B24B 7/22
, B24B 37/00
, H01L 21/304 321
引用特許:
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