特許

J-GLOBAL ID：200903080455029669

半導体装置の製造方法

発明者： 笠置 泰男
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168991
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017926
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 ストレスの大きいシリコン窒化膜を用いないで、水蒸気雰囲気でのBPSG膜のリフロー時における基板や配線の酸化を防止する。【構成】 シリコン酸化膜3の表面をアルゴンガスを用いてスパッタエッチングし、シリコン酸化膜3の表面層に加工変質層4を形成する。しかる後、BPSG膜5を成膜してから、水蒸気雰囲気下でBPSG膜5をリフローさせる。このとき、加工変質層4が基板1及び配線層2の酸化を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、不活性ガスを用いて前記シリコン酸化膜をスパッタエッチングする第2の工程と、前記シリコン酸化膜上に不純物を含有するシリコンガラス膜を形成する第3の工程と、前記シリコンガラス膜にリフロー処理を施す第4の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/90 R ,  H01L 21/90 M