特許

J-GLOBAL ID：200903080456198987

分子単電子トランジスタ及び集積回路

発明者： 和田 恭雄 ,  北沢 宏一
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066499
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266007
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 従来のシリコン半導体を用いたトランジスタよりも1000倍以上高性能な情報処理を可能にする超高性能単電子トランジスタの製作。【解決手段】 フラーレン、高次フラーレンを量子ドットとする分子単電子トランジスタにより、量子ドット寸法が1nm以下の極微小トランジスタが実現可能になり、従来のシリコン半導体を用いたトランジスタよりも1000倍以上高性能な情報処理を可能にする。

請求項（抜粋）：

フラーレンないし高次フラーレンおよびその誘導体の何れかを量子ドットとして具備したことを特徴とする分子単電子トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 301 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フラーレンを含む共重合体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-204744   出願人：三菱マテリアル株式会社