特許
J-GLOBAL ID：200903080457048636
マトリックス型表示装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114721
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313188
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタ(TFT)LCDにおいて、ゲート絶縁膜と電荷保持容量用絶縁膜の構成を改良して少ない製造工程で絶縁特性および表示品質を向上する。【構成】 薄膜トランジスタのゲート絶縁膜5a、6および電荷保持容量用絶縁膜4、5bの少なくとも一方が2層以上の絶縁膜で形成され、少なくとも各々の絶縁膜の1層は同じ材料で兼用絶縁膜5として形成され、複数層の他の絶縁膜はゲート絶縁膜およびまたは電荷蓄積容量用絶縁膜に適した専用絶縁膜4、6で形成されている。
請求項（抜粋）：
透明の絶縁性基板上に形成されたゲート電極、該ゲート電極上に形成された2以上のゲート絶縁膜、該2以上のゲート絶縁膜上に半導体層を介して形成されたソース電極およびドレイン電極からなる薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に接続された透明電極からなる画素電極を有し、前記画素電極の少なくとも一部が2以上の電荷保持容量用絶縁膜を介して電荷保持容量用電極と重畳するように構成される電荷保持容量部とがマトリックス状に並設されているマトリックス型表示装置であって、前記ゲート絶縁膜の少なくとも1の絶縁膜と前記電荷保持容量用絶縁膜の少なくとも1の絶縁膜が同一材料で兼用して形成され、前記ゲート絶縁膜の少なくとも1の絶縁膜と前記電荷保持容量用絶縁膜の少なくとも1の絶縁膜はそれぞれ専用の絶縁膜で形成されることを特徴とするマトリックス型表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
, H01L 27/12
, H01L 29/784
