特許
J-GLOBAL ID：200903080458804175
強誘電体メモリ装置の駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271619
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125056
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルへの書き込み・読み出しサイクルでは分極反転を伴わないような動作方式を採ることにより、DRAMと同程度のチップ面積で、実用化レベルの寿命を持つ、不揮発性の強誘電体メモリ装置の駆動方法を提供することを目的とする。【構成】 情報を記憶するメモリセルは、1個のトランジスタと1個のキャパシタからなり、情報の読み出し・書き込みの制御電圧を与える共通電極を備え、読み出し・書き込みサイクルにおいて、キャパシタの強誘電体膜の分極状態が反転しない印加電圧領域を用い、一定期間毎にメモリセル・データの読み出し・再書き込みによる情報のリフレッシュを行うことにより、メモリセルのデータをキャパシタの充電情報の形で保持させるとともに、電源遮断時には、メモリセルのデータを充電情報からキャパシタの強誘電体膜の分極情報に変換し保持させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
強誘電体メモリ装置が、情報を記憶するメモリセルと、情報を判定する際の基準となる信号を保持するダミーセルと、上記メモリセルに記憶された情報を電圧レベルで判定する差動型のセンスアンプと、センスアンプから延在するビット線対と、ビット線と交差する方向に延在するワード線と、ワード線と平行方向に延在しかつ上記メモリセルが接続されるワード線毎に分割され上記メモリセルに記憶された情報の制御を行う共通電極を備え、上記メモリセルが上記ビット線と上記ワード線との交点に接続され、かつ1個のトランジスタと1個のキャパシタからなり、キャパシタ内に存在するキャパシタ絶縁膜の少なくとも一部が強誘電体材料からなる強誘電体膜を有し、上記強誘電体メモリ装置の読み出し・書き込みサイクルの駆動方法として、上記メモリセルを構成する上記キャパシタ絶縁膜の共通電極を電源電圧に保ち、読み出し時には、上記ビット線対にかかる電位を予め定められた基準電位に等しくした後、上記ワード線に高電圧をかけて上記メモリセルを構成する上記トランジスタを導通させ、メモリセルからビット線に読み出された信号と、上記基準電位が書き込まれダミーセルから対となるもう一方のビット線に読み出された信号とを、上記センスアンプにより比較・判定し、かつ一定期間毎にメモリセルに記憶されたデータの読み出し・再書き込みによる情報のリフレッシュを行うことによって、メモリセルへの印加電圧として上記キャパシス絶縁膜の分極状態が反転しない印加電圧領域を用い、メモリセルのデータをキャパシタの充電情報の形で保持させることを特徴とする強誘電体メモリ装置の駆動方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, G11C 11/22
, H01L 27/04
, H01L 27/10 481
