特許

J-GLOBAL ID：200903080465833237

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  深田 武 ,  坂間 光範 ,  上原 由起子 ,  上原 弘
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 柳瀬 睦肇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-228547
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078146
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 ゲイト絶縁膜としての使用に耐える信頼性のよい酸化珪素膜を低温で得る方法を提供する。【解決手段】 エトキシ基を有する有機シラン(例えば、TEOS)と酸素を原料としてプラズマCVD法によって、島状の非単結晶シリコン領域を覆って酸化珪素膜を形成する際に、塩化水素や塩素を有する炭化水素(例えば、トリクロロエチレン)または弗素含有ガスを、好ましくは雰囲気の0.01〜1mol%混入させることによって、得られる酸化珪素膜からアルカリ元素を減らし、よって信頼性を高める。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体領域を形成し、前記半導体領域上に酸化珪素を主成分とし、炭素の濃度が5×1019cm-3以下、ハロゲン元素の濃度が1×1017〜5×1020cm-3であるゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極上に酸化珪素を主成分とする層間絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜及び前記層間絶縁膜は、有機シランを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (41件)：

5F058BA05 ,  5F058BA09 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF80 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110FF40 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ11