特許

J-GLOBAL ID：200903080466197989

半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 康幸 ,  大西 茂夫 ,  工藤 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-202791
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054714
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜や保護膜の形成過程で発生する水素は、容易に上部電極中に拡散し、上部電極と高誘電体薄膜や強誘電体薄膜との界面に到達し、高誘電体薄膜や強誘電体薄膜の表面に還元反応を及ぼし、酸素を奪って金属元素を還元することによって結晶構造を破壊して特性を劣化させると同時に、反応・離脱した水、酸素等によって上部電極の剥離を引き起こすという問題を有していた。【解決手段】 シリコン基板1上に強誘電体薄膜10をキャパシタ絶縁膜として用いた半導体素子が形成され、アルミニウムプレート12が形成された後、第2層間絶縁膜にポリ・テトラフルオロ・パラ・キシリレンを用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に高誘電体膜又は強誘電体膜をゲート絶縁膜又はキャパシタ絶縁膜として用いた半導体素子が形成され、多層配線の配線間の層間絶縁膜又は/及び表面保護膜を有する半導体装置であって、ポリ・テトラフルオロ・パラ・キシリレンを上記層間絶縁膜又は/及び表面保護膜として用いることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/312 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/312 A ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371