特許
J-GLOBAL ID：200903080469283789
多層配線板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235117
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094865
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 導体パターンの形状及び密着性を向上させ、パターンめっき前の検査を容易にかつ効率良く行える多層配線板の製造方法を提供すること。【構成】 感光性樹脂の塗布後に露光現像及び硬化処理を行い、基板1上に層間絶縁層I1 を形成する。導体パターンC2 の密着性を向上し得る金属をスパッタリングし、層間絶縁層I1 上に第1層めの金属薄層であるCr薄層L1 を形成する。スパッタリングにより、Cr薄層L1 上に第2層めの金属薄層であるCu薄層L2 を形成する。スパッタリングにより、Cu薄層L2 上に第3層めの金属薄層であるCr薄層L3 を形成する。Cr薄層L3 上にめっきレジスト3を配置しかつCr薄層L3 を除去し、Cu薄層L2 を部分的に露出させる。露出したCu薄層L2 上に銅めっき層L4 を形成する。めっきレジスト3及び各金属薄層L1〜L3 を除去する。以上の工程を繰り返す。
請求項（抜粋）：
樹脂製の層間絶縁層と金属製の導体パターンとを基板上に交互に積層形成する多層配線板の製造方法において、少なくとも下記(a) 〜(g) の工程を順次行うことを特徴とした多層配線板の製造方法:(a) 感光性樹脂を塗布した後、露光現像及び硬化処理を行うことにより、基板上に層間絶縁層を形成する工程、(b) 導体パターンの密着性を向上し得る金属をスパッタリングすることにより、前記層間絶縁層上に第1層めの金属薄層を形成する工程、(c) スパッタリングにより前記第1層めの金属薄層上に第2層めの金属薄層を形成する工程、(d) スパッタリングにより前記第2層めの金属薄層上に第3層めの金属薄層を形成する工程、(e) 前記第3層めの金属薄層上の所定部分にレジストを配置してから前記第3の金属薄層を除去することにより、前記第2層めの金属薄層を部分的に露出させる工程、(f) 露出した第2層めの金属薄層上に銅めっき層を形成する工程、(g) 前記レジスト及びそのレジスト下に位置している各金属薄層を除去する工程。
IPC (4件)：
H05K 3/46
, H05K 1/09
, H05K 3/24
, H05K 3/38
