特許

J-GLOBAL ID：200903080475792520

オンチップ温度検出装置

発明者： クライソン トロンナムチャイ ,  下井田 良雄
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090295
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289789
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】温度検出手段を別個に備える必要がなく、素子製造工程の増加やチップ面積の増大を抑えながら、オンチップによる高精度で迅速な温度検出が可能なオンチップ温度検出装置を提供する。【解決手段】過電流検出用のミラートランジスタを利用し、バイポーラ型のパワートランジスタ1がオンしているときに、ミラートランジスタ2を用いてこのときに流れているコレクタ電流を測定し、コレクタ電流とベース・エミッタ間電圧の温度特性(数1式)を用いてチップ温度を演算で推定するオンチップ温度検出装置。ポリシリコンダイオード等の温度検出手段を別に用意する必要がなくなるので、素子製造工程の増加やチップ面積の増大を抑えながらオンチップによる精度が良く迅速な温度検出が可能になる。

請求項（抜粋）：

コレクタ端子、エミッタ端子、ベース端子を有するバイポーラ型のパワートランジスタと、前記コレクタ端子およびベース端子と同じコレクタ端子およびベース端子を有し、前記エミッタ端子とは独立したミラーエミッタ端子を有するミラートランジスタと、前記ミラートランジスタを流れるコレクタ電流および前記ベース端子と前記ミラーエミッタ端子間の電位差を測定し、前記コレクタ電流値と前記電位差の温度特性に基づいて前記パワートランジスタのチップ温度を演算する手段と、を備えたことを特徴とするオンチップ温度検出装置。

IPC (7件)：

H01L 27/06 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 29/78 657 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 27/06 311 C ,  H01L 29/78 657 F ,  H01L 27/06 101 P ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 29/78 658 L

Fターム (24件)：

5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038AV13 ,  5F038AV20 ,  5F038AZ08 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH16 ,  5F038CA08 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048CC17 ,  5F082AA11 ,  5F082AA19 ,  5F082BC03 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082BC15 ,  5F082FA03 ,  5F082FA20 ,  5F082GA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭64-063827