特許

J-GLOBAL ID：200903080475891383

半導体製造装置

発明者： 田 谷 豊 宏 ,  西 山 浩 二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325544
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167779
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 低温剥離特性を有するダイシング用テープを用いて、突き上げ機構による機械的な分離力を低減する。【解決手段】 温度活性粘着剤によるダイシング用テープ4の上に接着された半導体ウェーハをダイシングにより分離して得られたチップ2を、ダイシング用テープ4を介して押し上げる突き上げ機構7と、チップ2を真空力により吸い上げるピックアップコレット8と、チップ2真下のダイシング用テープ4を冷却する冷却配管9を備え、チップ2の真下のダイシング用テープ4を冷却配管9を介して冷却し、ダイシング用テープ4の接着力を弱め、少ない力で、チップ2に与えられる機械的なストレスを低減しながら、チップ2をダイシング用テープ4から分離する。

請求項（抜粋）：

ダイシング用テープ上に接着剤によって接着された半導体ウェーハをダイシングして得られた半導体チップを、前記ダイシング用テープを介して突き上げる突き上げ機構を有するダイボンダを備え、このダイボンダは、前記テープ上に接着された状態の前記半導体チップ及び前記接着剤を冷却可能に構成されている、半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/52 F ,  H01L 21/68 E ,  H01L 21/78 Y