特許

J-GLOBAL ID：200903080483152530

非晶質合金半導体薄膜

発明者： 田中 博文 ,  貞本 満 ,  柳川 紀行 ,  福田 伸 ,  福田 信弘
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064390
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【解決手段】 基板上に水素化非晶質シリコン層(a-Si:H)、水素化非晶質ゲルマニウム層(a-Ge:H)を2層以上交互に積層形成してなる多層膜構造の非晶質合金半導体薄膜(a-Si:H/ a-Ge:H)n (n≧2) であって、該水素化非晶質ゲルマニウム層(a-Ge:H)の膜厚 dGeが、0.3nm以上、1nm未満であるような非晶質合金半導体薄膜およびこれを光活性層にもちいた非晶質太陽電池。【効果】 従来よりも高い光感度を有するa-SiGe:H薄膜が形成できる。また、この(a-Si:H /a-Ge:H)n薄膜多層膜の両側に、a-Si:H薄膜(5〜30nm) を形成した非晶質太陽電池は、従来よりも短絡光電流、光電変換効率が向上する。

請求項（抜粋）：

基板上に水素化非晶質シリコン層(a-Si:H)、水素化非晶質ゲルマニウム層(a-Ge:H)を2層以上交互に積層形成してなる多層膜構造の非晶質合金半導体薄膜(a-Si:H/ a-Ge:H)n (n≧2) であって、該水素化非晶質ゲルマニウム層(a-Ge:H)の膜厚 dGeが、0.3nm以上、1nm未満であることを特徴とする非晶質合金半導体薄膜。

FI (2件)：

H01L 31/04 N ,  H01L 31/04 W