発光ダイオードの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-117999
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326792
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】注入効率の低下やドナー欠陥の防止を図れ、しかもPN接合部の安定性に影響を与えるメルトバックの工程を省略でき、高輝度のGaP黄緑色発光ダイオードを実現できる発光ダイオードの製造方法を提供する。【構成】 n型GaP基板20に過飽和度をもたせたGa融液を接触させてn型GaP層1をエピタキシャル成長させる工程と、前記Ga融液にNH3ガスを接触させてn型キャリア濃度が低下したn型GaP:N層2をエピタキシャル成長させる工程と、前記n型GaP:N層2の低キャリア濃度領域と略同等のキャリア濃度のp型GaP:N層3をエピタキシャル成長させる工程と、を含んでなることを特徴とする。また、p型GaP:N層3は、液相エピタキシャル成長ボート材のC(カーボン)によるp型キャリアによって形成してなることを特徴とする。また、n型ドーパントとしてSiを使用してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

n型GaP基板上に、N(窒素)を含むGaPのPN接合を形成する発光ダイオードの製造方法において、少なくとも、前記n型GaP基板に過飽和度をもたせたGa融液を接触させてn型GaP層をエピタキシャル成長させる工程と、前記Ga融液にNH3ガスを接触させて、前記n型GaP層上にn型キャリア濃度が低下したn型GaP:N層をエピタキシャル成長させる工程と、前記n型GaP:N層上に、該n型GaP:N層の低キャリア濃度領域と略同等のキャリア濃度のp型GaP:N層をエピタキシャル成長させる工程と、を含んでなることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭55-108785
特開昭55-120184

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