特許
J-GLOBAL ID：200903080491909012
半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322674
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181226
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】ユーザの要求から製品完成まで時間を短くすることができ、かつ正確な多値のレベルが得られる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】一方向に配列された複数のMISトランジスタ(T1 ,T2 ......Ti ......Tn )と、たがいに異なる電位(V1 ,V2 ......Vj ......Vm )が供給される複数のソース配線層(F1 ,F2 ......Fj ......Fm )とを有し、複数のMISトランジスタのソース領域(S1 ,S2 ......Si ......Sn )をそれぞれ異なるソース配線層に接続する。
請求項（抜粋）：
第1の方向に配列された複数のMISトランジスタと、たがいに異なる電位が供給される複数のソース配線層とを有し、前記複数のMISトランジスタのソース領域がそれぞれ異なる前記ソース配線層に接続していることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8246
, H01L 27/112
, H01L 27/10 471
