特許

J-GLOBAL ID：200903080492771740

貫通孔内配線形成方法

発明者： 小倉 全昭 ,  石倉 淳理
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-150024
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347453
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 低コストで基体に設けられたアスペクト比の高い貫通孔内に容易に、かつ薬液等の懸念なく、導電性金属配線を形成することを目的とする。【解決手段】 貫通孔内へ導電性金属配線を形成するに際し、前記貫通孔内にガスデポジション法により導電性金属微粒子からなる金属柱を形成する。

請求項（抜粋）：

貫通孔を有する基体において、前記貫通孔内にガスデポジション法により導電性金属微粒子からなる金属柱を形成することを特徴とする貫通孔内配線形成方法。