特許

J-GLOBAL ID：200903080501940339

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる真空処理装置

発明者： 深田 昌生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-130739
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335652
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 信頼度の高い配線膜を備えている半導体集積回路装置と、それを容易に得ることができる製造技術を提供する。【構成】 複数の半導体素子が設けられている基体1の上の窒化チタン膜12、アルミニウム膜13と、その側壁に設けられている側壁保護膜19と、窒化チタン膜12、アルミニウム膜13を被覆するように設けられている層間絶縁膜20とを有するものとし、その製造工程には、エッチング用マスクとなるフォトレジスト膜を酸素ガス、四フッ化炭素ガスおよび窒素ガスからなる反応ガスを用いてプラズマアッシングして取り除く工程を有するものとする。これにより、そのプラズマアッシングの際に、配線膜の側壁にエッチングされない側壁保護膜19が形成されるために、配線膜のエッチングを防止した状態で完全にフォトレジスト膜を取り除くことができる。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が設けられている基体上の配線膜と、前記配線膜の側壁に設けられている側壁保護膜と、前記配線膜を被覆するように設けられている層間絶縁膜とからなることを特徴とする半導体集積回路装置。