特許

J-GLOBAL ID：200903080507275221

セラミック積層体の製法

発明者： 中村 淳哉
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222215
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063910
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】セラミックグリーンシートを薄層化して積層数を増加した場合にも、セラミックグリーンシート間の密着不良並びに焼成後のデラミネーションを防止できるセラミック積層体の製法を提供することを目的とする。【解決手段】セラミックパターン5が導体パターン3を囲うように形成されるとともに、前記導体パターン3の外縁7と前記導体パターン3の外縁7に略平行な前記セラミックパターン5の内縁8との間の間隔をD1、前記導体パターン3の角縁9と前記角縁9の外側に位置する前記セラミックパターン5の角部11との間隔をD2としたときに、D1≧D2の関係を満足する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

セラミックグリーンシートの主面上に矩形状の複数の導体パターンを形成する工程と、 該複数の導体パターン間にセラミックパターンを形成する工程と、 前記導体パターン及び前記セラミックパターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層して母体積層体を形成する工程と、 該母体積層体を切断してセラミック積層体成形体を形成する工程と、 を具備するセラミック積層体の製法であって、 前記セラミックパターンが前記導体パターンを囲うように形成されるとともに、前記導体パターンの直線状の外縁と該導体パターンの直線状の外縁と対向する前記セラミックパターンの直線状の内縁との間隔をD1、前記導体パターンの角縁と該導体パターンの角縁に対向する前記セラミックパターンの角部との間隔をD2としたときに、D1≧D2の関係を満足することを特徴とするセラミック積層体の製法。

IPC (3件)：

H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H05K3/46

FI (3件)：

H01G4/30 311D ,  H01G4/12 364 ,  H05K3/46 H

Fターム (21件)：

5E001AB03 ,  5E001AC02 ,  5E001AC03 ,  5E001AD03 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BC32 ,  5E082EE11 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082LL01 ,  5E082LL03 ,  5E082PP09 ,  5E346AA12 ,  5E346CC16 ,  5E346EE21 ,  5E346FF45 ,  5E346HH11