特許

J-GLOBAL ID：200903080512444449

半導体装置

発明者： 宇治 重孝 ,  針生 武徳
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152536
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343401
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置のAl配線に、バリア用、カバレッジ性向上用、反射防止用の下敷き膜或いはキャップ膜として用いられるTi-Al 合金膜及びTi-Al 合金窒化物膜の合金組成に関し、配線の剥離や亀裂、及び配線抵抗やコンタクト抵抗の増大を防止することを目的とする。【構成】 Alを主成分とし主たる導電層となる第1の導電膜5Bの下面部と上面部の両方若しくは何れか一方に、TiとAlの合金の窒化物、若しくはAg及びV族元素を含むTiとAlの合金、若しくはAg及びV族元素を含むTiとAlとの合金の窒化物からなる第2の導電膜5A又は5Cを有してなる金属配線を具備するように構成する。

請求項（抜粋）：

アルミニウムを主成分とし主たる導電層となる第1の導電膜の下面部と上面部の両方若しくは何れか一方に、チタンとアルミニウムの合金の窒化物からなる第2の導電膜を有してなる金属配線を具備していることを特徴とする半導体装置。