特許

J-GLOBAL ID：200903080514108853

縦型炉及び温度制御方法

発明者： 小薄 雅利
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284783
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121344
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造に用いる縦型の拡散炉,化学気相成長炉に関し、被加熱物を炉芯管内に投入した場合の炉芯管内温度を回復させるために、下部のヒータに加える電力を上部のヒータに加える電力よりも大きくした際に、熱が上部に集中して上部の炉芯管内の温度が上昇してオーバーシュートするのを防止することが可能となる縦型炉及び温度制御方法の提供を目的とする。【構成】 縦型の炉芯管1の周囲に配設したヒータ2によりこの炉芯管1を加熱する縦型炉において、この炉芯管1及びこのヒータ2を覆うカバー3に接続されている排気ダクト4と、この排気ダクト4に設けた排気手段5と、この排気手段5を制御する制御装置6とを具備するように構成する。

請求項（抜粋）：

縦型の炉芯管(1) の周囲に配設したヒータ(2) により該炉芯管(1) を加熱する縦型炉において、前記炉芯管(1) 及び前記ヒータ(2) を覆うカバー(3) に接続されている排気ダクト(4) と、該排気ダクト(4) に設けた排気手段(5) と、該排気手段(5) を制御する制御装置(6) と、を具備することを特徴とする縦型炉。