特許

J-GLOBAL ID：200903080516416067

半導体装置

発明者： 福田 達哉 ,  梶本 毅
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055350
公開番号（公開出願番号）：特開平7-141868
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 昇圧による消費電流の増大を抑制し、消費電力を低減することができる半導体装置を提供する。【構成】 レベル変換部145は制御信号BLIK0、BLIS0に応答して接地電位GNDまたは昇圧電源VPPレベルの信号を出力する。第1レベル選択部146は制御信号BLIMに応答して接地電位GNDまたは電源電圧VCCレベルの信号を出力する。第2レベル選択部147は、レベル変換部145の昇圧電圧VPPレベルの信号、第1レベル選択部146の接地電位GNDの信号、および電源電圧VCCレベルの信号から所定の信号を上記の各制御信号に応答してシェアードセンスアンプ制御信号BLI0として出力する。この結果、シェアードセンスアンプ制御信号BLI0を昇圧電圧VPPレベルまで立上げる際、一旦電源電圧VCCレベルに立上げた後、昇圧電圧VPPレベルまで立上げることができる。

請求項（抜粋）：

第1および第2制御信号に応答して出力される第3制御信号が第1電圧レベルから昇圧された第2電圧レベルへ変化することに応答して所定の動作を行なう半導体装置であって、前記第1制御信号より遅延した前記第2制御信号を出力する出力手段と、前記第3制御信号を前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルへ立上げる際、前記第3制御信号を前記第1制御信号に応答して前記第1電圧レベルと前記第2電圧レベルとの間の第3電圧レベルで出力した後、前記第2制御信号に応答して前記第2電圧レベルで出力する制御信号出力手段とを含む半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-054702   出願人：沖電気工業株式会社