特許

J-GLOBAL ID：200903080521850891

高電圧デバイス及びその製造方法

発明者： サットウィンダー マルヒ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022856
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106573
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 MOS入力特性を有し、入力容量を減少させた高電圧デバイス及びその製造方法を提供する。【構成】 (a)第1の基板122、第1のソース136、第1のドレイン電極120、及び第1のゲ-ト142を有する低電圧MOSトランジスタ12と、(b)第2の基板32、第2のソース38、第2のドレイン電極30、及び第2のゲ-ト44を有する高電圧トランジスタ14であって、前記低電圧MOSトランジスタのブレークダウン電圧が前記高電圧トランジスタのデプレーションしきい値電圧より高くなるように、前記第1のソースを前記第2のゲ-トに接続し、かつ前記第1のドレインを前記第2のソースに接続した高電圧トランジスタとを備える。

請求項（抜粋）：

MOS入力特性を有する高電圧デバイスにおいて、(a)第1の基板、第1のソース、第1のドレイン、及び第1のゲ-トを有する低電圧MOSトランジスタと、(b)第2の基板、第2のソース、第2のドレイン、及び第2のゲ-トを有する高電圧トランジスタとを備え、前記低電圧MOSトランジスタのブレークダウン電圧が前記高電圧トランジスタのデプレーションしきい値電圧より高くなるように、前記第1のソースを前記第2のゲ-トに接続し、かつ前記第1のドレインを前記第2のソースに接続したことを特徴とする高電圧デバイス。リウムを備えていることを特徴とする高電圧デバイス。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H03K 17/10 ,  H03K 17/687

FI (3件)：

H01L 29/78 321 B ,  H01L 29/78 321 X ,  H03K 17/687 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-069119
  
• 半導体集積回路の出力回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-026604   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭64-069119