特許

J-GLOBAL ID：200903080529011082

半導体装置

発明者： 横山 孝司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-151737
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332618
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 SiONなどのストッパー膜を使用しない構造であって、しかも、例えば、下層の比誘電率の高い絶縁膜から20nm以上、離れた部分に配線層を構成することにより、配線間容量低減を有効に達成できる半導体装置を提供する。【解決手段】 Cuを主な材料とする、多層の溝配線構造を有する半導体装置において、比誘電率の低い絶縁膜を、Cu配線部分の層間膜として、また、比誘電率の高い絶縁膜を、配線間を接合するプラグなどの金属柱が存在する部分の層間膜として、それぞれ、構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Cuを主な材料とする、多層の溝配線構造を有する半導体装置において、比誘電率の低い絶縁膜を、Cu配線部分の層間膜として、また、比誘電率の高い絶縁膜を、配線間を接合するプラグなどの金属柱が存在する部分の層間膜として、それぞれ、構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/312 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 S

Fターム (38件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX17 ,  5F033XX25 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD15 ,  5F058BJ02