特許
J-GLOBAL ID：200903080530639176
半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-312832
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172071
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの汚染低減を図ることのできる半導体製造装置を提供することにある。【構成】 チャンバ内で反応性ガスのプラズマを発生させて半導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造装置であって、チャンバ内のプラズマ発生室と処理室とを分離する平板電極12が、たとえばSiのような非導電性の高純度材を基材12aとし、この基材12aのウエハ対向面と反対側の面にたとえばAlのような導電材12bを形成して構成されるものである。
請求項（抜粋）：
チャンバ内で反応性ガスのプラズマを発生させて半導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造装置であって、前記チャンバ内のプラズマ発生室と処理室とを分離する平板電極におけるウエハ対向面が非導電性の高純度材により、その反対側が導電材によりそれぞれ形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
