特許
J-GLOBAL ID：200903080542139802
半導体装置の製造方法及び反応室内付着物剥離方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187333
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051080
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 被処理物に不具合をもたらすことなく、反応室内部に不安定に付着している付着物を剥離し、反応室から排出する方法と装置とを提供することを目的とする。【構成】 反応室内に被処理物が装入されていない待機期間に、反応室内を真空にした後、反応室内にガスを急激に供給して反応室の内圧を急上昇させ、再び、反応室内を真空にして反応室の内圧を急降下させ、反応室の内圧に急激な圧力変動を発生させて反応室内に付着していた付着物を剥離し排出する反応室内付着物剥離方法である。
請求項（抜粋）：
反応室内に被処理物が装入されていない待機期間に、前記反応室内を真空にした後、前記反応室内にガスを急激に供給して前記反応室の内圧を急上昇させ、再び、前記反応室内を真空にして前記反応室の内圧を急降下させ、前記反応室の内圧に急激な圧力変動を発生させて前記反応室内に付着していた付着物を剥離する工程と、次いで、前記反応室内に被処理物を装入して、該被処理物に対して被膜あるいはエッチングを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
