特許

J-GLOBAL ID：200903080543219397

半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法および半導体素子

発明者： 川崎 雅司 ,  齊藤 肇
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302247
公開番号（公開出願番号）：特開2003-104792
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：

【要約】【課題】 LMBE法による半導体薄膜結晶成長において、ドーピング濃度制御方法を広範囲かつ精密に行うことが出来る半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法、および、キャリア密度が精密に制御された半導体素子を提供する。【解決手段】 ドナー不純物であるGaをGa2O3の形で添加したZnO焼結体と、ノンドープZnO単結晶とをエキシマレーザ光8でレーザアブレーションして、半導体基板3上に半導体薄膜結晶を成長させる。これにより、そのZnO焼結体のみをアブレーションした場合よりも少ないドーピング濃度を制御することが出来きる。

請求項（抜粋）：

レーザ分子線エピタキシー法で結晶を成長させる半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法であって、上記半導体薄膜結晶に不純物ドーピングを行う際、不純物元素または不純物元素を含む化合物と母体とを含有した不純物添加母体半導体原料と、上記母体のみからなる母体半導体原料とを所定の比率でレーザアブレーションすることを特徴とする半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法。

IPC (4件)：

C30B 23/08 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

C30B 23/08 Z ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 33/00 D

Fターム (29件)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA03 ,  4G077EB02 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077SB09 ,  4K029AA04 ,  4K029BA49 ,  4K029BB09 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  5F041AA31 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F103AA10 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH08 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103RR05