半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000547
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183058
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】配線接続用スルーホールの形成方法に関し、スルーホール開口時にスルーホール側壁面及び底面に残留する有機ポリマーの除去を完全にして、配線層間接続のコンタクト抵抗の経時劣化を防止することをを目的とする。【構成】配線金属膜3上に設けられた絶縁膜4に該配線金属膜3面を表出するスルーホール7を形成するに際して、レジスト6をマスクにし、該絶縁膜に対し活性なエッチングガスによるドライエッチング手段により該絶縁膜4に該配線金属膜3面を表出するスルーホール7を形成する工程と、該レジスト6を、該配線金属3に対し活性なガスを含む酸素ガスによるプラズマエッチング手段により除去する工程を有するように構成する。

請求項（抜粋）：

配線金属膜上に設けられた絶縁膜に該配線金属膜面を表出するスルーホールを形成するに際して、レジストをマスクにし、該絶縁膜に対し活性なエッチングガスによるドライエッチング手段により該絶縁膜に該配線金属膜面を表出するスルーホールを形成する工程と、該レジストを、該配線金属に対し活性なガスを含む酸素ガスによるプラズマエッチング手段により除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 , H01L 21/027 , H01L 21/302 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/30 361 R , H01L 21/88 N

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