特許

J-GLOBAL ID：200903080544850139

光デバイス

発明者： ウトゥパル クマル チャクラバーティ ,  ウィリアム クロスリー ドートレモント-スミス ,  コウ-ウェイ ワン ,  ダニエル ポール ウィルト
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323538
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229247
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ10の低反射率(LR)被覆12において、被覆の厚さ変動に対する反射率の感度を低くする。【解決手段】 LR被覆14は、イットリウムおよびアルミニウムの酸化物(YAO)からなる単一層である。この被覆は、イットリウムアルミニウムガーネットからなる原材料から電子ビーム蒸着により、レーザ10の活性領域20を構成する複数のInP層およびInGaAsP層(有効屈折率は約3.2)の端面によって形成される出力ファセット18上に形成される。被覆の屈折率をnc、レーザの動作波長をλとして、被覆の厚さはほぼtqw=mλ/4nc(mは奇整数)に等しい。これにより、被覆の実際の厚さがtqwから多少ずれても、被覆の反射率は従来の被覆に比べて緩やかにしか変化しないため、製造歩留まりが向上する。

請求項（抜粋）：

半導体材料の領域(20,22,24)と、前記領域上に形成され光が伝播する被覆(14)とからなる密封パッケージされた能動光デバイス(10)において、前記被覆はイットリウムおよびアルミニウムの酸化物からなることを特徴とする光デバイス。

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 中屈折率の光学被膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-072244   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• 特公昭54-029380
  
• 特開昭61-129601
  
• 特開平4-177783
  
• 特開昭58-135200
  
• 特公昭54-029380