半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016586
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213692
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】六方晶の結晶系を有する半導体を用いた半導体レーザ装置を提供すること。【構成】六方晶の結晶系を有するAl2O3基板1の(10-10)面上に、n型GaNバッファ層2、n型AlGaNガイド層3、InGaN活性層4、 p型AlGaNガイド層5、p型GaNクラッド層6等のエピタキシャル成長層の多層構造を配置し、半導体基板のc軸に垂直な劈開面により共振器を構成した半導体レーザ装置。(10-10)面に代えて、(01-10)面、(-1100)面又はそれらのいずれかに平行な結晶面であってもよい。

請求項（抜粋）：

六方晶の結晶系を有する半導体基板と、該半導体基板のc軸に平行な面の上に配置されたエピタキシャル成長層の多層構造とからなることを特徴とする半導体レーザ装置。

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