半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本庄伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237040
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】電子に対する障壁作用を維持しながらホールに対しては障壁またはトラップの作用をもたないようにし、素子抵抗の増大、高速変調時のキャリア注入遅れ等のホール注入の低下による問題を生じないようにした半導体レーザの提供。【構成】障壁層15は、InAlAs(20nm)からなるトンネル防止層12と、禁制帯幅1.05eVのInGaAsP(厚さ1.4nm)からなる井戸層13、及びInAlAs(1.4nm)からなるバリア層14を10周期交互に積層した電子反射層とから構成される。伝導帯での井戸層13とバリア層14とのエネルギー差は350meVあり、電子波の界面での反射率も大きくとれるので、等価的な障壁高さは増大し障壁層による電子の閉じ込めがなされる。また、井戸層及びバリア層は価電子帯においてはエネルギー差がない材料である。

請求項（抜粋）：

発光層の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有するn形及びp形クラッド層で前記発光層を挟んだ構造を有し、前記n形クラッド層中に、伝導帯エネルギー位置を互いに異にし、かつ、電子のドブロイ波長程度以下の層厚の2つの半導体層を交互に1周期以上層した構造からなる障壁層をもつ半導体レーザにおいて、前記障壁層を構成する2つの半導体層の価電子帯エネルギー位置が一致していることを特徴とする半導体レーザ。

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