特許

J-GLOBAL ID：200903080555984331

両親媒性ポリシラン誘導体

発明者： 村木 広次 ,  伊藤 利昭 ,  平松 光夫
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097981
公開番号（公開出願番号）：特開平5-295118
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 一般式1(R1とR2は1価の炭化水素基、R3は2価の炭化水素基、Xは無機又有機陰イオンを表す。Xは1価又は2,3...n価でもよい。そのときのピリジニウム基とXとのモル比は、n:1になる。Xは1種類のイオンである必要はなくX,Y,Z...等の多種のイオンを混合したものでもよい。)の繰返し単位を含み、ラングミュアブロジェット法により水面上に単分子膜を形成することができる両親媒性ポリシラン誘導体。【効果】 本ポリシラン誘導体は導電性ポリシランの側鎖にピリジニウム塩が投入され、耐薬品性、耐熱性が向上し、また単分子膜に加工され得るので電子材料として新たな用途がみこまれる。

請求項（抜粋）：

式【化1】(式中R1 及びR2 は1価の炭化水素基、R3 は2価の炭化水素基、Xは無機又有機陰イオンを表す。またXは1価である必要はなく2、3、...n価でもよい。そのときのピリジニウム基とXとのモル比は、n:1になる。又、Xは1種類のイオンのみである必要はなくX,Y,Z...等の多種のイオンを混合したものでもよい。)にて表わされる繰返し単位を含み、ラングミュアブロジェット法により水面上に単分子膜を形成することができる両親媒性ポリシラン誘導体。

IPC (2件)：

C08G 77/60 ,  C07F 7/10