特許
J-GLOBAL ID：200903080557391974
固体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235600
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099257
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 従来のMOS型半導体メモリ素子およびMFS-FET素子の欠点を解決し、製造が容易であって、かつ、素子の動作安定性の高い高信頼性の固体素子を提供する。【構成】 MOS,MIS型電界効果トランジスタやpn接合型電界効果トランジスタなどの電界効果トランジスタにおいて、その半導体基板2の表面の一部に、ゲ-ト絶縁膜3,フロ-ティング電極4,強誘電体膜5,ゲ-ト電極6が順次に積層されて、ゲ-トとして機能する部分が構成されている。これにより、従来のMFS-FET素子において強誘電体膜と半導体基板との界面付近に発生していたトラップ準位を低減することができ、安定した動作を行なう高信頼性のデバイスを提供することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、ゲ-ト絶縁膜と、フロ-ティング電極と強誘電体膜と、ゲ-ト電極とが順次に積層されて、ゲ-トとして機能する部分が構成されていることを特徴とする固体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
