特許
J-GLOBAL ID：200903080559971234
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350709
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189992
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】ボトムゲート型多結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT)のゲート電極表面に陽極酸化膜を形成するための構成を簡略化する。【解決手段】ガラス基板1上の全面にITOからなる透明導電膜2を形成し、その上に、Ta又はMo-Taからなる金属膜3をTFTのゲート電極パターンに形成する。透明導電膜2を通じて金属膜3に電圧を印加し、金属膜3表面にTaOx からなる陽極酸化膜5を形成する。陽極酸化後、陽極酸化膜5をエッチングマスクとして用いて、透明導電膜2をパターニングする。【効果】金属膜3のパターンに、陽極酸化用の引き出し電極となる部分を設ける必要が無くなる。
請求項（抜粋）：
絶縁層の上の全面に導電膜を形成する工程と、前記導電膜の上に所定パターンの金属膜を形成する工程と、前記導電膜を通じて前記金属膜に所定の電圧を印加することにより、電解液中において前記金属膜を陽極とした陽極酸化を行い、前記金属膜の表面に陽極酸化膜を形成する工程と、前記金属膜及びその表面に形成された前記陽極酸化膜をマスクにして、前記導電膜をパターニングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/28 301
H01L 29/78 617 W
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 627 G
