特許
J-GLOBAL ID：200903080560080190
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150206
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343540
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】多層配線を有する半導体装置において層間絶縁膜の平坦性を向上させ、多層配線の断線等の発生を防止する。【構成】多層配線の信号配線の存在しない領域に第1層のダミー配線101を偶数格子に配置し、第3層のダミー配線102を奇数格子に配置することにより層間絶縁膜113,114,115の平坦性を改善する。このダミー配線による寄生容量の増加はダミー配線を全格子に配置した場合より低減でき、多層配線の微細化及びより一層の多層化が可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設定した配線格子上に配線を配置して設けた多層配線を有する半導体装置において、前記多層配線の最上配線層以外の少くとも1層の配線層の偶数格子上又は奇数格子上に配置して設けたダミー配線を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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