特許

J-GLOBAL ID：200903080575033139

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  河合 義夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-167293
公開番号（公開出願番号）：特開2004-012886
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と、式(2)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物とを添加してなるレジスト材料。 (R1、R2はH又は酸不安定基、0<k<1、0<m<1、R3、R4、R5はH、F又はトリフルオロメチル基、R6は酸不安定基、0≦a≦4、0≦b≦4、1≦c≦3、1≦a+b≦4、0≦d≦4、0≦e≦4、1≦f≦3、1≦d+e≦4の範囲、0<p<1、0<q<1である。)【効果】本発明のレジスト材料は、レジストの透明性とアルカリ溶解コントラストが向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と、一般式(2)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物とを添加してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (3件)：

G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R

Fターム (18件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17