特許

J-GLOBAL ID：200903080575830489

III族窒化物半導体素子

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141520
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332294
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】連続性のある良質のIII族窒化物半導体結晶層をSi単結晶基板上に安定して形成するために、緩衝層が備えるべき構造を明らかにする。【解決手段】珪素(Si)単結晶からなる基板上に、緩衝層を介して、III族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形成する際に、緩衝層を、基板上に接して形成された砒素(As)またはリン(P)の少なくとも一方と硼素(B)とを含むIII-V族化合物半導体からなる第1の緩衝層と、第1の緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体からなる第2の緩衝層とから構成する。

請求項（抜粋）：

珪素(Si)単結晶からなる基板と、該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備するIII族窒化物半導体素子において、前記緩衝層が、前記基板上に接して形成された砒素(As)またはリン(P)の少なくとも一方と硼素(B)とを含むIII-V族化合物半導体からなる第1の緩衝層と、該第1の緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体からなる第2の緩衝層とを有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

Fターム (32件)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F052KA02