特許
J-GLOBAL ID：200903080576726189
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138871
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084736
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 高誘電率の酸化膜を有する半導体装置の新規な構造とその製造方法とを提供する。【構成】 半導体装置は、半導体基板20と、その上にゲルマニウム層28と、その上に高誘電率の酸化膜32から成る構造を有する。好ましくはゲルマニウム層は単結晶である。この半導体装置の製造方法は、半導体基板20の上に直接または間接にゲルマニウム層28を形成することと、ゲルマニウム層の上に高誘電率の酸化膜32をデポジットすることとを含む。好ましくはゲルマニウム層は半導体基板上にエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に直接または間接に形成されたゲルマニウム層と、該ゲルマニウム層の上に形成された高誘電率の酸化膜と、を含むことを特徴とする、半導体装置。
IPC (2件)：
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