特許
J-GLOBAL ID:200903080589224530
簡易浸漬深さ制御装置および方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
秋沢 政光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-149145
公開番号(公開出願番号):特開2001-329310
出願日: 2000年05月22日
公開日(公表日): 2001年11月27日
要約:
【要約】【課題】 冶金容器内に収納された溶融金属の中に、冶金処理用浸漬装置を所定の深さだけ浸漬させて処理を行う際、簡易に表面高さを検知し、浸漬制御する。【解決手段】 冶金容器1内に収納された溶融金属2の中に、相対的に上下し所定の位置に停止しうる冶金処理用浸漬装置4を意図した深さへ上方から浸漬させて処理する冶金処理装置に、冶金容器1に対する相対位置を計測する装置7と浸漬部湯面の撮像装置11と画像処理装置12とそれらの制御装置14とを備える。上方から浸漬装置4を下降させ、浸漬装置4の最下端部が溶融金属2ないしその上方にあるスラグ3の最上面15、16に達して最表面の低温度の皮膜を破壊しその下の高温部が露出する際の輝度変化を検知してその時点での上下方向相対位置の値を溶融金属ないしスラグの最上面の高さ方向位置とし、その高さ方向位置をもとに演算し、所定の浸漬深さまで浸漬装置4を浸漬させる。
請求項(抜粋):
冶金容器内に収納された溶融金属の中に、相対的に上下し所定の位置に停止しうる冶金処理用浸漬装置を意図した深さへ上方から浸漬させて処理を行う冶金処理装置において、該冶金容器に対する相対位置を計測する装置と浸漬部湯面の撮像装置と画像処理装置とそれらの制御装置とを備えたことを特徴とする簡易浸漬深さ制御装置。
IPC (7件):
C21C 7/00
, B22D 1/00
, B22D 46/00
, C21C 7/10
, F27D 21/00
, G01F 23/28
, C21C 1/02 108
FI (8件):
C21C 7/00 P
, C21C 7/00 R
, B22D 1/00 C
, B22D 46/00
, C21C 7/10 C
, F27D 21/00 D
, C21C 1/02 108
, G01F 23/28 L
Fターム (11件):
2F014FA04
, 4K013BA05
, 4K013CE00
, 4K013CE01
, 4K013CF13
, 4K014AA02
, 4K014AD01
, 4K014AD23
, 4K056EA12
, 4K056FA10
, 4K056FA23
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