特許
J-GLOBAL ID:200903080596281353

金属粉末、その製造方法及び製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-092766
公開番号(公開出願番号):特開2005-281712
出願日: 2004年03月26日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
【課題】 焼結開始温度が高温側にシフトし、誘電体と積層して焼成してもデラミネーション及びクラックの発生を回避できる平均粒径が150nm以下の金属粉末の製造装置を提供する。【解決手段】 長手方向に沿って第1気化部6、第2気化部8及び還元部19が内部に設けられた反応管1と、その外側に設けられ長手方向に沿って配置された第1気化部用加熱部20、第2気化部用加熱部21及び還元部用加熱部22と、反応管内に配置された気化用容器と、気化用容器内の第1気化部に配置される第1原料収容部7と、第2気化部に配置される第2原料収容部9と、気化用容器内の一端に連通し還元部19に配置された原料ガスノズル13と、第1気化部で発生した蒸気及び第2気化部で発生した蒸気を原料ガスノズルに供給するガス流路と、還元部に配置されて還元ガスを吐出するガスノズル15と、還元部で還元されて生成した粒子を冷却する冷却部23とを有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
塩化タングステンガスと塩化ニッケルガスとの混合ガスを気相水素還元することによって得られ、平均粒径が50乃至150nm、タングステン濃度が0.3乃至25質量%のNi-W固溶体粉末であることを特徴とする金属粉末。
IPC (6件):
B22F1/00 ,  B05B1/02 ,  B05B7/06 ,  B22F9/28 ,  C22C1/04 ,  H01G4/12
FI (6件):
B22F1/00 M ,  B05B1/02 ,  B05B7/06 ,  B22F9/28 Z ,  C22C1/04 B ,  H01G4/12 361
Fターム (32件):
4F033BA01 ,  4F033DA01 ,  4F033EA03 ,  4F033QA10 ,  4F033QB02X ,  4F033QB02Y ,  4F033QD02 ,  4F033QD21 ,  4F033QG00 ,  4K017AA04 ,  4K017BA03 ,  4K017BB04 ,  4K017CA08 ,  4K017DA01 ,  4K017DA03 ,  4K017DA07 ,  4K017DA08 ,  4K017EK03 ,  4K017FB06 ,  4K018BA04 ,  4K018BA09 ,  4K018BB05 ,  4K018BD02 ,  4K018BD04 ,  4K018BD10 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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