半導体記憶装置のキヤパシタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197240
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021744
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】本発明は、リーク電流を少なくして電荷蓄積能力を高めた半導体記憶装置のキャパシタを提供することを目的とする。【構成】半導体記憶装置として例えばダイナミックRAM11のキャパシタ12を、蓄積ノード31とタンタルオキシナイトライド膜よりなる蓄積容量部32とプレート33とにより形成する。上記タンタルオキシナイトライド膜は、ジアルキルアミノタンタルを含む反応ガスを用いた化学的気相成長法によって製造する。

請求項（抜粋）：

基板上に蓄積ノードと蓄積容量部とプレートとを積層してなる半導体記憶装置のキャパシタにおいて、前記蓄積容量部をタンタルオキシナイトライド膜で形成したことを特徴とする半導体記憶装置のキャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/314 , H01L 21/318 , H01L 27/04

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