特許

J-GLOBAL ID：200903080602782874

半導体装置

発明者： 川井 文彰 ,  上杉 勉
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317111
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172190
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】ゲート・ソース間用ツェナーダイオードとゲート・ドレイン間ツェナーダイオードを一体に配置でき、スペース効率を良くする。【構成】1平面を有する多結晶シリコン7の中央部にN型領域を形成し、N型領域を包囲するようにP型領域とN型領域を交互に複数設ける。略中央部と最外部との中間部のN型領域をパワーMOSFET(電界型トランジスタ)のドレイン配線17に接続し、多結晶シリコン7の最外部のN型領域をパワーMOSFETのソース配線12に接続する。中央部と最外部との中間部のN型領域をパワーMOSFETのゲート配線11に接続する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1平面を有する多結晶シリコンの略中央部に一導電型領域を形成し、該一導電型領域を包囲するように他導電型領域と一導電型領域を交互に複数設け、前記略中央部の一導電型領域をトランジスタのソース又はドレインに接続し、最外部の一導電型領域又は他導電型領域をトランジスタのドレイン又はソースに接続し、前記略中央部と前記最外部との中間部の一導電型領域又は他導電型領域をトランジスタのゲートに接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 29/78 657 B ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/06 311 B