特許
J-GLOBAL ID：200903080611420144
光素子の実装構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237012
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087849
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 光素子の活性層や吸収層に発生する内部応力を小さくして信頼性の向上を図り、加えて集積化、小型化に寄与できる技術を提供する。【解決手段】 Si基板上の電極2に半田層3ー2を介して光素子であるLD4の電極5が接合されている。ここで、LD4の活性層6下の空洞領域3ー1は、半田接合せず空間となっており、その外側は半田層領域3ー2となっている。このような構成で、活性層真下の空洞領域3ー1では、空間であるため応力フリーとなる。このため、その真下にある活性層は、空洞領域3ー1を設けない従来の構造に比べ内部応力が緩和される。これにより光素子の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
実装基板の電極面上に半田を介して光素子の電極面が接合されている光素子の実装構造において、前記半田層部分のうち、前記光素子の活性層又は吸収層に近い部分の半田層内に、半田の無い空洞領域を設けてあることを特徴とする光素子の実装構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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