特許
J-GLOBAL ID：200903080614174853
薄膜トランジスタの製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181911
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058342
出願日： 1984年05月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタの製法において、製造を容易にし、且つ薄膜トランジスタの性能向上を図り、更に低耐熱性の非晶質基板上に薄膜トランジスタの形成を可能にする。【構成】 非晶質基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を形成する薄膜トランジスタの製法において、非晶質基板上に、非晶質半導体薄膜、および半導体薄膜のソース、ドレインが形成される領域に接して不純物含有部をそれぞれ形成する工程と、非晶質半導体薄膜を波長100nm〜400nmの短波長パルスレーザの照射により溶融加熱し、チャネル領域の多結晶化およびソース領域、ドレイン領域の形成を行う工程とを有する。
請求項（抜粋）：
非晶質基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を形成する薄膜トランジスタの製法において、上記非晶質基板上に、非晶質半導体薄膜、および該半導体薄膜のソース、ドレインが形成される領域に接して不純物含有部をそれぞれ形成する工程と、上記非晶質半導体薄膜を波長100nm〜400nmの短波長パルスレーザの照射により溶融加熱し、チャネル領域の多結晶化およびソース領域、ドレイン領域の形成を行う工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製法。
IPC (7件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/316
, H01L 27/12
H01L 29/78 311 Y
, H01L 29/78 311 H
