特許

J-GLOBAL ID：200903080616795502

磁気抵抗効果素子装置、磁気ヘッド装置及び磁気再生装置

発明者： 恒木 啓三
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276741
公開番号（公開出願番号）：特開2002-092827
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 バルクハウゼンノイズによる再生信号の劣化を回避する。【解決手段】 非磁性基板1上には下部絶縁層2が形成され、その上に軟磁性材料からなる下部シールド層3が厚み1μmで形成される。さらにこの下部シールド層3の上に非磁性の下部ギャップ層4を介して磁気抵抗効果を有するMR素子層5が設けられる。またこのMR素子層5の両側には、固定バイアス磁界を与えるハード磁性膜6と、MR素子層5に電流を流すための電極7が配置される。なおMR素子層5には、縦方向(図面の奥行き方向)にバイアス磁界を与えるための軟磁性膜(SAL膜)を伴う。そしてこれらのMR素子層5及び電極7、軟磁性膜の上に、非磁性の上部ギャップ層8を介して上部絶縁層9が設けられ、さらにその上に上部シールド層10が厚み3μmで形成される。また上部シールド層10の上方には、絶縁層や非磁性基板11等が積層される。

請求項（抜粋）：

金属薄膜を積層し形成される磁気抵抗効果素子装置であって、磁気抵抗効果を有する素子層に対しその上下にシールド層を配すると共に、そのシールド層の厚みを上下で異ならせたことを特徴とする磁気抵抗効果素子装置。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/65 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/65 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 H ,  G01R 33/06 R

Fターム (25件)：

2G017AC01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017AD66 ,  5D006BB07 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5D034BA04 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BA16 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16