特許
J-GLOBAL ID:200903080617606878

配線形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-265227
公開番号(公開出願番号):特開2004-103911
出願日: 2002年09月11日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】微細な配線パターンを高精度に形成することを可能とし、半導体装置あるいは配線基板の製造に好適に適用できる配線形成方法を提供する。【解決手段】基板40の表面に、電気的絶縁性を備えた樹脂材からなる第1の絶縁層41を形成し、該第1の絶縁層に積層して、電気的絶縁性および感光性を備えた樹脂材からなる第2の絶縁層42を形成する工程と、該第2の絶縁層を露光および現像して、底面に前記第1の絶縁層の表面が露出するパターン溝44を形成する工程と、前記パターン溝の内面を含む前記第2の絶縁層42の表面にめっき用のシード層46を形成した後、該シード層の表面に前記パターン溝44を露出させたレジストパターン48を形成する工程と、前記シード層をめっき給電層とする電解めっきを施して、前記パターン溝内を導体52により充填する工程と、前記レジストパターンを除去した後、前記第2の絶縁層の表面に露出するシード層46をエッチングにより除去して、前記パターン溝44内に形成された導体52からなる配線パターンを形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板表面に、電気的絶縁性を備えた樹脂材からなる第1の絶縁層を形成し、該第1の絶縁層に積層して、電気的絶縁性および感光性を備えた樹脂材からなる第2の絶縁層を形成する工程と、 該第2の絶縁層を露光および現像して、底面に前記第1の絶縁層の表面が露出するパターン溝を形成する工程と、 前記パターン溝の内面を含む前記第2の絶縁層の表面にめっき用のシード層を形成した後、該シード層の表面に前記パターン溝を形成する部位を露出させたレジストパターンを形成する工程と、 前記シード層をめっき給電層とする電解めっきを施して、前記パターン溝内を導体により充填する工程と、 前記レジストパターンを除去した後、前記第2の絶縁層の表面に露出するシード層をエッチングにより除去して、前記パターン溝内に形成された導体からなる配線パターンを形成することを特徴とする配線形成方法。
IPC (1件):
H01L21/3205
FI (1件):
H01L21/88 B
Fターム (24件):
5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS00 ,  5F033SS21 ,  5F033TT03 ,  5F033VV07
引用特許:
審査官引用 (7件)
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