特許
J-GLOBAL ID:200903080619148168

帯電防止有機EL素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 吉田 勝広 ,  近藤 利英子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-200337
公開番号(公開出願番号):特開2004-047179
出願日: 2002年07月09日
公開日(公表日): 2004年02月12日
要約:
【課題】充分に帯電防止処理されたEL素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するEL素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機EL素子およびその製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するEL素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機EL素子。
IPC (5件):
H05B33/02 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (5件):
H05B33/02 ,  G09F9/00 309Z ,  G09F9/30 365 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (11件):
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  5C094AA43 ,  5C094BA27 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5G435BB05 ,  5G435HH02 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05

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