特許

J-GLOBAL ID：200903080622993928

半導体光源装置およびその制御方法

発明者： 岡本 浩 ,  尾江 邦重 ,  八坂 洋 ,  吉國 裕三
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042006
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236869
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 少なくとも一つの波長可変レーザダイオードを有してなる波長可変半導体光源装置において、前記素子の温度変動による波長ドリフトを低減するとともに、複数のレーザダイオードから構成される場合に、隣接する他素子に対する熱クロストークを大幅に低減する。【構成】 半導体基板上に形成された波長可変レーザダイオードの少なくとも波長設定用電極に隣接して熱ドリフト制御用電極を設けてなる装置本体と、前記波長設定用電極に注入する電流量と前記熱ドリフト制御用電極に注入する電流量を相補的に制御する電気回路とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に波長可変レーザダイオードが形成され、該波長可変レーザダイオードの少なくとも波長設定用電極に隣接して熱ドリフト制御用電極が設けられてなる装置本体と、前記波長設定用電極に注入する電流量と前記熱ドリフト制御用電極に注入する電流量を相補的に制御する波長設定用電気制御回路と、を具備することを特徴とする半導体光源装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/103 ,  H01S 3/133

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/103 ,  H01S 3/133