特許

J-GLOBAL ID：200903080623109355

半導体レ-ザ及びその製造方法

発明者： 吉武 士郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298229
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125139
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 電流集中度の高い電流挟窄層を有し、かつ、製造に際して結晶成長工程の少ない可視光半導体レ-ザの構造とその製造方法を提供する。【構成】 活性層5の中央部分が、GaAs基板1の(1,0,0)面を有する表面の水平な第1及び第2の主面14、15の間の傾斜面16上に形成され、その中央部分の上には、やはり傾斜面13を有する電流挟窄層7を備え、活性層5の傾斜面上の中央部分とその部分以外の禁制帯幅は、ともにほぼ等しくなっている。また、結晶成長工程が1回のみで、電流挟窄構造と屈折率ガイド構造を合せ持つことができる。

請求項（抜粋）：

(1,0,0)結晶面にほぼ一致する高低2つの主面とこの2つの主面をつなぎ、(1,0,0)結晶面から[0,1,1]方向に所定の角度だけ傾いている傾斜面とを有する面をその表面に備えている第1導電型GaAs基板と、前記第1導電型のGaAs基板の前記面に設けられた第1導電型In<SB>y1</SB>( Ga<SB>1-x1</SB>Al<SB>x1</SB>) <SB>1-y1</SB>P(0.4≦y1 ≦0.6、0≦x1 ≦1)からなる第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に設けられたIn<SB>y2</SB>(Ga<SB>1-x2</SB>Al<SB>x2</SB>)<SB>1-y2</SB>P(0.4≦y2 ≦0.7、0≦x2 ≦x1 )からなる活性層と、前記活性層上に設けられた第2導電型In<SB>y3(</SB>Ga<SB>1-x3</SB>Al<SB>x3</SB>)<SB>1-y3</SB>P(0.4≦y3 ≦0.6、0≦x2 <x3 ≦1)からなる第2クラッド層と、前記第2クラッド層上に設けられたIn<SB>y4</SB>(Ga<SB>1-x4</SB>Al<SB>x4</SB>)<SB>1-y4</SB>P(0.4≦y4 ≦y2 、x2 ≦x4 <x3 )からなり、前記第1導電型GaAs基板の前記傾斜面上の部分では、第2導電型である電流挟窄層と、前記電流挟窄層の上に設けられた第2導電型In<SB>y5</SB>(Ga<SB>1-x5</SB>Al<SB>x5</SB>)<SB>1-y5</SB>P(0.4≦y5 ≦0.6、0≦x2 <x5 ≦1)からなる第3クラッド層とを備え、前記活性層の前記第1導電型GaAs基板の前記高低2つの主面上の部分の禁制帯幅と前記傾斜面上の部分の禁制帯幅とは等しく、前記活性層の禁制帯幅は、前記電流挟窄層の前記第1導電型GaAs基板の前記傾斜面上の部分の禁制帯幅より小さく、かつ、前記高低2つの主面上の部分の禁制帯幅より大きいことを特徴とする半導体レ-ザ。